|
1874年：Braun发明金属和半导体面紧密接触形成的金属-半导体结的结构，开创半导体器件研究的新时代。
1947年：W.Shockley发明P型和N型半导体面紧密接触形成的PN结的结构。
1947年：美国贝尔电话研究所的W.H.Brattain和J.Bardeen发明了点接触型晶体管，1948年同样在美国贝尔电话研究所的W.Shockley申请了易于产业化的接合型晶体管专利。
W.H.Brattain、J.Bardeen和W.Shockley因发明三极管一起获得1956年诺贝尔物理奖。
W.H.Brattain J.Bardeen
J.Bardeen负责晶体管理论研究，后来他由于超导理论，再获1972年获得诺贝尔物理奖。
1955年：W.Shockley离开贝尔实验室创建肖克利半导体实验室，他的个人才华和魅力吸引了一大批天才的青年才俊到研究所工作，他的个人性格、管理方法和怪异行为又导致他和这些天才产生矛盾，最后不欢而散而出走，其中八人决定一同辞职，这就是著名的八判逆事件。
八叛逆在Fairchild Semiconductor，1959年，从左至右：戈登·摩尔（Gordon Moore）、尤金·克莱尔（Eugene Kleiner）、谢尔顿·罗伯茨（Sheldon Roberts）、罗伯特·诺依斯（Robert Noyce）、维克多·格里尼克（Victor Grinich）、朱利亚斯·布兰克（Julius Blank）、金·赫尔尼（Jean Hoerni）、杰·拉斯特（Jay Last）。
八判逆的离开，如同随风四处散落的蒲公英的种子，茁壮成长，催生了硅谷及众多半导体公司的诞生。
1958年：Kilby提出了世界上第一款集成电路和原型。 同年、美国德州仪器TI的基尔比设计出世界第一款集成电路板，并申请专利。
1959年：在仙童半导体Fairchild Semiconductor工作的罗伯特·诺依斯（Robert Noyce）基于仙童的平面工艺Planner Process和硅晶片上的扩散技术提出了制作集成电路的想法：在硅片上加上一层氧化硅作为绝缘层，然后在这层绝缘氧化硅上打洞，用铝薄膜将已用硅扩散技术做好的器件连接起来。诺伊斯起草了集成电路的专利申请书，他事先知道TI已向专利局递交了申请，但不知道TI专利的内容，因此他在自己的专利申请中强调仙童以平面工艺来制造集成电路的。尽管基尔比先于诺伊斯申请了集成电路的专利，但诺伊斯的平面连接工艺领先于基尔比的工艺，这也导致了多年关于第一个发明集成电路的归属权的争议。
1960年：Kahng和Atalla发明MOSFET，MOSFET的发明对于集成电路的大规模商业化应用奠定了基础。
1965年：摩尔在当年第35期《电子》杂志上发表迄今为止半导体历史上最具意义的论文，提出了非常有名的摩尔定理。摩尔天才地预言：集成电路上能被集成的晶体管数目，将会以每18个月翻一番的速度稳定增长，并在今后数十年内保持着这种势头。
1967年：Kahng和施敏基于MOSFET，使用浮栅技术，发明了非易失性半导体存储器，推动了半导体器件在电子产品的应用及发展。 同年，Dennard发明动态随机存储器DRAM Dynamic Random Access Memory.
1968年：摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司创办了Intel，致力于开发当时计算机工业尚未开发的数据存储领域。
1969年：英特尔推出自己的第一批产品双极处理64位存储器芯片，代号为3101。 同年，被迫离开仙童的桑德斯创办了Advanced Micro Devices公司。
1970年：Boyle和Smith发明电荷耦合器件CCD Charge Coupled Device，这种器件后来大量应用于数码相机，手机和光检测系统。
1971年：英特尔的Hoff等人制造出世界第一个4位微处理器4004，这是半导体行业的一个里程碑。
1972年：英特尔推出第一个容量为1KB的[url=]动态随机存储器[/url]1103，它的诞生正式宣告了磁芯存储器的灭亡，并最终成全了个人电脑革命。
2000年：加州大学伯克利分校的胡正明Chenming Hu教授发明FinFET。
文中的图片主要来于网上，特此表示感谢。 文章来源：融创芯城
| 
发表于 2017-1-11 14:26
楼主