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Part 2, 关于驱动电路/芯片的选择
1）如果是低边驱动的话，或者说是功率器件与Controller共地的话，就比较好处理，可以采用物美价廉的自搭电路，列举了几个作为福利（注意用MOSFET做buffer的逻辑关系），或者高性能的驱动芯片，例如PM8834在digital CCM PF, boos, SR driver中的应用。
另外，有一种电路也用的比较多，就是用二极管串联电阻，再并联一个电阻分别控制开通和关断的驱动电流。对于Vth相对较高的应用，效果是有的，比如说IGBT，一般Vth可能在5V左右；但对于Vth相对较低的，例如MOSFET，有的Vth只有2V～3V，还是负温度特性（GaN MOS是正温度特性的），这种电路的效果就不是太好了。
2）如果与controller不共地的话，这种应用一般以桥臂式架构为主，包括最简单的上下两颗管子，到复杂的多电平控制的多管，并且这样的拓扑都是大功率应用为主，需要较高的驱动电流，较好的抗干扰能力（包括CMR抑制能力），甚至需要防止overlap，短路保护等功能，开关频率较高的还需要考虑delay时间等因素。
不共地的应用，有可以细分为隔离和非隔离，这个是由安规决定的。比如Controller和Transistor都在初级侧，是不需要隔离的，只要满足耐压要求就好，这时候可以用level-shift功能的半桥驱动芯片，变压器，光耦等等，典型的芯片如L6491，带自举电路供上桥臂供电。
对于controller在二次侧，而transistor在功率侧/初次侧的，安规上是需要满足相应耐压要求的，这种应用就需要选择满足耐压要求的隔离的驱动电路/芯片，简单的有变压器直驱，相对来说变压器的CMR比较差，因为寄生电容较大，稍微高端一点的有光耦加buffer，带光耦隔离的driver，磁隔离的driver，典型的有STGAP1S和STGAP2S，当然了，很多友商的产品也很实用，Silicon Labs，Avago，Angilent，TI等，其中Silicon Labs的SI823x在digital full-bridge LLC中应用广泛。
文章来源：融创芯城
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发表于 2016-12-1 10:51
